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KS-S300-E 單片濕法刻蝕機

滿足電晶體製造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用於SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。

产品优势：

1.利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液，可以有效的提高刻蝕均勻性
2.分層式反應腔體設計，可以在同一腔體中噴灑多種化學液，並能有效回收，節約化學液
3.疊層控制，占地面積小，最多可配置4個刻蝕單元

应用领域：

● 電晶體製造中濕法刻蝕工藝
● 高端封裝領域中金屬層刻蝕，滿足UBM及RDL工藝要求
● OLED領域中金屬及金屬氧化物（ITO/IGZO）刻蝕、緩衝層成膜前的表面（SiO2）刻蝕清洗等工藝